本报讯：近日，一项重大的技术突破在中国原子能科学研究院诞生。该院自主研发的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，其核心性能指标已达到国际顶尖水平。这一里程碑式的成就，象征着我国已全面掌握了串列型高能氢离子注入机的全链条研发技术，成功突破了功率半导体制造领域的关键障碍，为高端制造装备的自主掌控及产业链安全的保障奠定了坚实的基础。
在半导体制造业中，离子注入机被誉为芯片制造的四大核心装备之一，与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备共同构成不可或缺的“刚需”设备阵容。长期以来，我国在高能氢离子注入机领域完全依赖进口，面临研发难度大、技术壁垒高等难题。而这一领域的国外企业则长期垄断并封锁相关技术，成为制约我国关键技术产业升级发展的瓶颈之一。
值得骄傲的是，中国原子能科学研究院借助在核物理领域的深厚积累和数十年来的持续钻研，以串列技术为核心手段，攻克了一系列技术难题。该院不仅完全掌握了串列型高能氢离子注入机从基础原理到整机集成的正向设计技术，而且打破了国外企业在该领域的技术封锁和长期垄断。
这一重大突破不仅意味着我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力得到有力提升，更为实现“双碳”目标、加快发展新质生产力提供了强大的技术支撑。此次中国原子能科学研究院所取得的辉煌成果，无疑将进一步推动我国的半导体产业发展，提升在国际竞争中的优势地位。
